特許
J-GLOBAL ID：200903050532740358
レーザ照射による絶縁膜付き半導体基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-360836
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195624
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】【課題】 基板を格子状に、精度良く、かつ速い速度で割断することのできるレーザ照射による絶縁膜付き半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】 Si基板1の少なくとも片面にその基板面の一方端から他方端に亘る溝2を割断線として形成し、この基板面を覆う絶縁膜3を形成し、この絶縁膜3上に照射したCO2 レーザ光Lを前記溝2に沿わせて移動させることにより、熱応力による亀裂をこのCO2 レーザ光の移動方向に進展させて前記Si基板1を割断する。
請求項（抜粋）：
Si基板の少なくとも片面にその基板面の一方端から他方端に亘る溝を割断線として形成し、このSi基板を覆う絶縁膜を形成し、この絶縁膜上に照射したCO2 レーザ光を前記溝に沿わせて移動させることにより、熱応力による亀裂をこのCO2 レーザ光の移動方向に進展させて前記Si基板を割断することを特徴とするレーザ照射による絶縁膜付き半導体基板の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/301
, B23K 26/00 320
H01L 21/78 B
, B23K 26/00 320 E
