特許

J-GLOBAL ID：200903050536213727

半導体装置とその製造方法

発明者： 塩沢 勝臣 ,  大石 敏之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-019361
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220017
出願日： 1998年01月30日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】 異なる幅を有する分離絶縁体を備え、高い信頼性を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1の主表面には、第1の幅W7を有する溝4aと、第1の幅W7より狭い幅W6を有する第2の溝4bが形成されている。第1の溝4aを充填するように、外側壁を有する第1の分離絶縁体6a、8aが形成されている。第2の溝4bを充填するように、外側壁を有する第2の分離絶縁体6bが形成されている。第1の分離絶縁体6a、8aは、外側壁を形成する側壁絶縁膜8aと、側壁絶縁膜8aに囲まれ、第1の溝4aを充填する内部絶縁膜6aとを含む。第2の分離絶縁体6bは、外側壁を形成し、かつ、第2の溝4bを充填する内部絶縁膜6bを含む。

請求項（抜粋）：

第1の幅を有する第1の溝と、前記第1の幅よりも狭い幅を有する第2の溝とが主表面に形成された半導体基板と、前記第1の溝を充填するように形成され、素子形成領域を分離し、外側壁を有する第1分離絶縁体と、前記第2の溝を充填するように形成され、素子形成領域を分離し、外側壁を有する第2分離絶縁体とを備え、前記第1分離絶縁体は、前記外側壁を形成する側壁絶縁膜と、前記側壁絶縁膜によって囲まれた、前記第1の溝を充填する内部絶縁膜とを含み、前記第2分離絶縁体は、前記外側壁を形成し、かつ、前記第2の溝を充填する内部絶縁膜を含む、半導体装置。