特許

J-GLOBAL ID：200903050541341164

光起電力素子及び発電システム

発明者： 狩谷 俊光 ,  斉藤 恵志
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-349638
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204522
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、高速の堆積速度で形成でき且つ光電変換効率が高く、しかも光劣化、振動劣化を抑制した光起電力素子及び発電システムを提供することを目的とする。【構成】 水素を含有する非単結晶シリコン系半導体材料を含むp型層、i型層、n型層を基板上に積層して構成され、i型層は、Ge、Sn及びCの内少なくとも一種とアルカリ土類金属とを含有し、且つマイクロ波(MW)PCVD法で形成した光起電力素子において、pまたは/及びn型層は、MW波PCVD法で形成されたMWドーピング層とRFPCVD法で形成されたRFドーピング層との積層構造によって構成され、RFドーピング層は、MWドーピング層とi型層との間に配置され、i型層に含有されるGe、SnまたはCの含有量が、層厚方向になめらかに変化し、且つ最大値がi型層の中央よりp型層側に位置することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

水素を含有する非単結晶シリコン系半導体材料を含むp型層、i型層、n型層を基板上に積層して構成され、前記i型層は、ゲルマニウム、スズ及び炭素の内少なくとも一種とアルカリ土類金属とを含有し、且つマイクロ波プラズマCVD法で形成されてなる光起電力素子において、前記p型層または/及びn型層は、マイクロ波プラズマCVD法で形成されたMWドーピング層とRFプラズマCVD法で形成されたRFドーピング層との積層構造によって構成され、前記RFドーピング層は、前記MWドーピング層と前記i型層との間に配置され、前記i型層に含有されるゲルマニウム、スズまたは炭素の含有量が、層厚方向になめらかに変化し、且つ該含有量の最大値が前記i型層の中央の位置より前記p型層側に位置することを特徴とする光起電力素子。