特許
J-GLOBAL ID：200903050543850805
シリコンカーバイド半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安孫子 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-183785
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019768
出願日： 2003年06月27日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】インパットダイオードのPN接合端面の電界の緩和を容易にし、耐圧性の向上を図る。【解決手段】P型オーミックコンタクト電極6の直下には、硼化物層4からのホウ素の拡散により形成されたP型シリコンカーバイド低抵抗層5が設けられた構成となっており、抵抗値及びコンタクト抵抗の低減がなされ、抵抗による電力損失が小さく、動作効率の改善が図られると共に、P型オーミックコンタクト電極6直下より周辺のシート抵抗が大きいため、周辺部への電流が流れ難く、そのため、従来に比して耐圧が向上し、より大きな高周波出力が得られるものとなっている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
低抵抗のN型シリコンカーバイド基板と不純物濃度が1×1016cm-3乃至1×1018cm-3のN型エピタキシャル層とから構成されてなるシリコンカーバイド基板を用意する工程と、
前記N型エピタキシャル層の表面に不純物をイオン注入してP型層を形成する工程と、
前記P型層の表面に高融点金属の硼化物を堆積させて、熱処理を行い、当該P型層表面に低抵抗層を形成する工程と、
前記堆積させた硼化物層表面にオーミック電極を形成し、当該オーミック電極をマスクとして前記硼化物層と低抵抗層を除去し、P型層を露出する工程と、
前記オーミック電極より大径のイオン注入用のマスクを用いて、前記露出したP型層表面から当該P型層と前記N型エピタキシャル層の界面より深く不純物イオンを注入して高抵抗層を形成する工程とからなることを特徴とするシリコンカーバイド半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L29/90 T
, H01L29/91 F
, H01L29/91 Z
