特許

J-GLOBAL ID：200903050554972465

面発光型半導体素子およびその製造方法

発明者： 小川 雅弘
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-150661
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356271
出願日： 2003年05月28日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】面発光型半導体素子において、共振器下部の半導体反射ミラーの膜厚を小さくする。【解決手段】c面を主面とするサファイア基板101上に、アンドープGaN層102、半導体からなる半導体反射ミラー103、n型GaN層104、InGaN活性層105、p型GaN層106、誘電体膜からなる誘電体反射ミラー107を順次形成する。n型GaN層104の上面の露出部には負電極108が形成されており、p型GaN層106の露出部には正電極109が形成されている。半導体反射ミラー103上部には空隙111が設けられており、これにより、高反射率を実現しつつ、半導体反射ミラー103の周期数を減らすことができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に第1の反射ミラーと、少なくとも活性層を含む半導体層と、第2の反射ミラーの順に形成された光共振器とを有するとともに、前記第1の反射ミラーと前記半導体層との間に空隙を有することを特徴とする面発光型半導体素子。

IPC (1件)：

H01S5/183

FI (1件)：

H01S5/183

Fターム (8件)：

5F073AA07 ,  5F073AA67 ,  5F073AB17 ,  5F073AB19 ,  5F073CA02 ,  5F073CA03 ,  5F073CB19 ,  5F073DA21