特許

J-GLOBAL ID：200903050571690171

高誘電体薄膜

発明者： 西村 浩之 ,  安達 廣士 ,  藤岡 弘文
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-104256
公開番号（公開出願番号）：特開平5-298920
出願日： 1992年04月23日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 常誘電性で、リーク電流が低く、高誘電率を有する高誘電体薄膜を提供する。【構成】 SrTiO3、Bi203、TiO2の三成分系の組成物薄膜をその組成範囲がSrTiO3 :45〜90重量%、Bi2O3:5〜30重量%、TiO2:3〜40重量%となるように基板上に成膜する。

請求項（抜粋）：

基板上に成膜してなるSrTiO3、Bi203、TiO2の三成分系の組成物薄膜で、その組成範囲がSrTiO3 :45〜90重量%、Bi2O3:5〜30重量%、TiO2 :3〜40重量%であることを特徴とする高誘電体薄膜。

IPC (7件)：

H01B 3/12 304 ,  H01B 3/12 318 ,  C30B 29/32 ,  H01B 3/00 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108