特許
J-GLOBAL ID：200903050573731584
面実装型半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-212502
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066231
出願日： 1993年08月27日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 面実装型半導体装置の製造方法において、ヘッダー部裏面への薄バリ付着を防止し、薄バリ除去工程を不要とする。【構成】 ヘッダー部2を備えたリードフレーム1と、前記ヘッダー部2に搭載される半導体素子4とを有し、金型内に前記リードフレーム1を配置して前記ヘッダー部2の裏面が外部へ露出するよう絶縁樹脂7にて封止されてなる面実装型半導体装置の製造方法において、前記半導体素子4をダイボンド,ワイヤボンドする第1の工程と、前記リードフレーム1を金型内に配置し、樹脂封止するとともに、前記ヘッダー部2の外周側面に前記金型の突起部を隣接させ、溝部8を形成する第2の工程と、を含んでなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
ヘッダー部を備えたリードフレームと、前記ヘッダー部に搭載される半導体素子とを有し、金型内に前記リードフレームを配置して前記ヘッダー部の裏面が外部へ露出するよう樹脂封止されてなる面実装型半導体装置の製造方法において、前記半導体素子をダイボンド,ワイヤボンドする第1の工程と、前記リードフレームを金型内に配置し、樹脂封止するとともに、前記ヘッダー部の外周側面に前記金型の突起部を隣接させ、溝部を形成する第2の工程と、を含んでなることを特徴とする面実装型半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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