特許
J-GLOBAL ID:200903050582430090

有機ルミネセンス層及びエレクトロルミネセンス装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石田 敬 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-174150
公開番号(公開出願番号):特開2002-038140
出願日: 2001年06月08日
公開日(公表日): 2002年02月06日
要約:
【要約】【課題】 稼動安定性及び輝度効率が向上したEL装置を提供することである。【解決手段】 稼動寿命が改良されたエレクトロルミネセンス装置に使用するための有機ルミネセンス層であって、a)正孔及び電子の注入及び再結合の両者を維持できる有機ホスト材料;並びにb)少なくとも2種類のドーパント:i)ホスト材料中の電子正孔結合エネルギーを受容できる第一ドーパント;及びii)ホスト材料からの正孔をトラップできる第二ドーパントを含んでなり;c)前記第一ドーパントは、第一ドーパントのバンドギャップエネルギーがホスト材料のバンドギャップエネルギーより低いように選択され;そしてd)前記第二ドーパントは、ホスト材料の価電子帯より高い正孔トラップエネルギーレベルを有するように選択された有機ルミネセンス層、並びにそれを含むエレクトロルミネセンス装置。
請求項(抜粋):
稼動寿命が改良されたエレクトロルミネセンス装置に使用するための有機ルミネセンス層であって、a)正孔及び電子の注入及び再結合の両者を維持できる有機ホスト材料;並びにb)少なくとも2種類のドーパント:i)ホスト材料中の電子正孔結合エネルギーを受容できる第一ドーパント;及びii)ホスト材料からの正孔をトラップできる第二ドーパントを含んでなり;c)前記第一ドーパントは、第一ドーパントのバンドギャップエネルギーが、ホスト材料のバンドギャップエネルギーより低いように選択され;そしてd)前記第二ドーパントは、ホスト材料の価電子帯より高い正孔トラップエネルギーレベルを有するように選択された有機ルミネセンス層。
IPC (4件):
C09K 11/06 602 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22
FI (5件):
C09K 11/06 602 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 B ,  H05B 33/22 B ,  H05B 33/22 D
Fターム (9件):
3K007AB03 ,  3K007AB04 ,  3K007AB06 ,  3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00

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