特許

J-GLOBAL ID：200903050587196088

酸化物単結晶基板の洗浄方法

発明者： 近川 修 ,  藤野 優 ,  鷹木 洋
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-180358
公開番号（公開出願番号）：特開平7-033599
出願日： 1993年07月21日
公開日（公表日）： 1995年02月03日
要約：

【要約】【目的】基板に欠陥を与えることなく汚れを除去する酸化物単結晶基板の洗浄方法を提供する。【構成】回転した基板上に、ガスバブルを混入した純水を高圧で噴射し汚れを除去した後、前記基板に乾燥ガスを吹き付け乾燥したことを特徴とするものである。また、前記基板がガドリニウム・ガリウム・ガーネット(Gd3 Ga5 O12)単結晶基板であることを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

回転した基板上に、ガスバブルを混入した純水を高圧で噴射し汚れを除去した後、前記基板上に乾燥ガスを吹き付け乾燥したことを特徴とする酸化物単結晶基板の洗浄方法。

IPC (5件)：

C30B 33/00 ,  B08B 3/02 ,  C30B 29/28 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 351