特許

J-GLOBAL ID：200903050588179373

水溶液中半導体薄膜の製造方法及びその製造装置

発明者： 市村 正也 ,  竹内 一喜
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-201848
公開番号（公開出願番号）：特開2002-020108
出願日： 2000年07月04日
公開日（公表日）： 2002年01月23日
要約：

【要約】【課題】 PCD法により硫化物の化合物半導体以外のカルコゲン系の化合物半導体であるCdSe、CdTe、ZnSe、ZnTe、CuInSe2 等と単体の半導体であるSe、Teの水溶液中半導体薄膜の製造方法及びその製造装置を提供する。【解決手段】 亜セレン酸イオンまたは亜テルル酸イオンと亜硫酸イオンを含む酸性水溶液を有する処理槽1と、この処理槽1に紫外光を照射する手段と、前記紫外光を前記亜セレン酸イオン又は亜テルル酸イオンと亜硫酸イオンを含む酸性水溶液に照射し、セレンまたはテルルを基板2上に堆積させる堆積装置とを具備する。

請求項（抜粋）：

亜セレン酸イオンと亜硫酸イオンを含む酸性水溶液に紫外光を照射し、セレンを生成し基板上に堆積させることを特徴とする水溶液中半導体薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

C01B 19/02 ,  C01B 19/04 ,  H01L 31/04

FI (5件)：

C01B 19/02 E ,  C01B 19/02 Z ,  C01B 19/04 C ,  C01B 19/04 H ,  H01L 31/04 E

Fターム (4件)：

5F051AA09 ,  5F051BA12 ,  5F051CB24 ,  5F051CB29