特許
J-GLOBAL ID：200903050604447022
プラズマ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-247485
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092642
出願日： 1995年09月26日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】 プラズマエッチング装置でエッチング処理する際に異常放電を無くすことで、半導体ウェーハの被処理膜を均一にエッチングし、また異常放電による金属汚染を無くすことを目的とする。【解決手段】 プラズマエッチング装置1の排気リング15に設けられた真空測定用開口部2の上部を覆うような、絶縁リング22と一体構成の絶縁部材22a設ける。【効果】 異常放電が無く、半導体ウェーハの被処理膜の均一にエッチングが可能となり、また異常放電による金属汚染も無くすこができ、製造歩留向上が可能となる。
請求項（抜粋）：
チャンバーの下方に被処理物のステージを基板兼下部電極を配置し、前記チャンバーの上方には上部電極を配置し、前記チャンバーの下部電極の周囲には排気リングを配置し、前記排気リング上で前記チャンバー内には絶縁リングを配置したプラズマ処理装置において、前記排気リングと前記絶縁リングとに設けられている真空測定用開口部に放電防止用絶縁部材を設けることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 C
, C23F 4/00 A
