特許

J-GLOBAL ID：200903050607013600

半導体装置およびその製造方法

発明者： 笠原 健資
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-225750
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067775
出願日： 1991年09月05日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】InPを動作層あるいはコンタクト層とする半導体トランジスタにおいて、急峻なドーピングプロファイルを有する半導体装置を得る。【構成】InP基板1上にノンドープのAlInAs層2とAInP層3をもうけ、この上からSiをイオン注入し、これを550〜900°Cでアニールして注入元素の活性化を行う。このアニールではInP層3中のSiは活性化するが、AlInAs層2A中のSiはほとんど活性化しないため、急峻にドーピング濃度を変化させる事ができ、活性層5を形成できる。

請求項（抜粋）：

基板上のInP層上にAlInAs層を設けるかまたは基板上のAlInAs層上にInP層を設けた後に全面にSiをイオン注入し、550〜900°Cで熱処理を行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (5件)：

H01L 29/78 301 B ,  H01L 21/265 W ,  H01L 21/265 A ,  H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/80 H