特許

J-GLOBAL ID：200903050609821968

表面研磨方法

発明者： 西田 彰男 ,  楠川 喜久雄 ,  山中 俊明 ,  横山 夏樹 ,  木村 紳一郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-083236
公開番号（公開出願番号）：特開平11-283946
出願日： 1998年03月30日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】大幅な工程数やコストの増大なく、化学的機械研磨プロセスにおける面内分布、およびウエハ間分布の影響をなくす。【解決手段】半導体凹凸構造に絶縁膜を埋め込み、平坦化する工程において、あらかじめ凸部上の絶縁膜を除去する際に、凸部の内側に研磨ストッパー領域を形成し、化学的機械研磨することによって、スラリーの溜まった凸部のエッチングレートの増大を抑制し、半導体凹凸構造を平坦化する。

請求項（抜粋）：

凹凸を有する被加工物表面に絶縁膜を形成する工程、凸領域上の上記絶縁膜の一部を除去する工程、化学的機械研磨により、上記凸領域上の絶縁膜を研磨する工程からなることを特徴とする表面研磨方法。