特許
J-GLOBAL ID:200903050613002157

スピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 志賀 正武 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-346931
公開番号(公開出願番号):特開2001-167410
出願日: 1999年12月06日
公開日(公表日): 2001年06月22日
要約:
【要約】【課題】 外部磁界の検出感度が高いとともに、センス電流のシャントロスを低減して磁気抵抗変化率を高くしたスピンバルブ型薄膜磁気素子を提供する。【解決手段】 反強磁性層30と、反強磁性層30に接して形成されて反強磁性層30との交換結合磁界により磁化方向が固定された固定磁性層25と、固定磁性層25に接する非磁性導電層29と、非磁性導電層29に接するフリー磁性層20とを備え、フリー磁性層20は、非磁性中間層23と、この非磁性中間層23を挟む第1、第2フリー磁性層21、22からなり、第1フリー磁性層21と第2フリー磁性層22とが反強磁性的に結合してフェリ磁性状態とされ、かつ非磁性導電層29から離れた側にある第1フリー磁性層21の比抵抗が、非磁性導電層29側にある第2フリー磁性層22の比抵抗より高いことを特徴とするスピンバルブ型薄膜磁気素子1を提供する。
請求項(抜粋):
反強磁性層と、該反強磁性層に接して形成されて前記反強磁性層との交換結合磁界により磁化方向が固定された固定磁性層と、前記固定磁性層に接する非磁性導電層と、前記非磁性導電層に接するフリー磁性層とを備え、前記フリー磁性層は、非磁性中間層と、該非磁性中間層を挟む第1、第2フリー磁性層からなり、前記第1フリー磁性層と前記第2フリー磁性層とが反強磁性的に結合してフェリ磁性状態とされ、かつ前記非磁性導電層から離れた側にある前記第1フリー磁性層の比抵抗が、前記非磁性導電層側にある第2フリー磁性層の比抵抗よりも高いことを特徴とするスピンバルブ型薄膜磁気素子。
Fターム (5件):
5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA08 ,  5D034CA00 ,  5D034CA08

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