特許
J-GLOBAL ID：200903050613320574
多層配線基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-047504
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218226
出願日： 1992年02月03日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、放熱効率に優れた多層配線基板を提供することにある。【構成】 本発明に係る多層配線基板は、層間絶縁層12a,12bによって各々絶縁された複数の配線層16a,16bから成り、下面に放熱部材18を備え、表面に半導体チップ11をフリップチップ・ボンディングによって搭載する多層配線基板において、層間絶縁層12a,12b中に放熱用ヴィアホール15a,15bを形成するとともに、ヴィアホール15a,15bと接続された金属プレート13,14a,14bを、当該多層配線基板表面及び配線層16a,16b内に配置している。
請求項（抜粋）：
層間絶縁膜によって各々絶縁された複数の配線層から成り、下面に放熱部材を備え、表面に半導体チップをフリップチップ・ボンディングによって搭載する多層配線基板において、前記層間絶縁膜中に放熱用ヴィアホールを形成するとともに、前記ヴィアホールと接続された金属プレートを、当該多層配線基板表面及び前記配線層内に配置したことを特徴とする多層配線基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 J
, H01L 23/12 N
