特許

J-GLOBAL ID：200903050617176800

半導体特性測定システム

発明者： 兵頭 敏宏 ,  上里 英樹
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-285717
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031891
出願日： 1993年10月20日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】 Si/SiO2界面付近の不純物濃度プロファイルを正確に求めることができる半導体特性測定システムを提供すること。【構成】 半導体特性測定システムは、半導体素子1のチャネル領域の不純物濃度プロファイルを測定する不純物濃度測定装置21と、バックバイアスを変えて半導体素子1のVg-Id特性を測定する電気的特性測定装置22と、プロセスのデータからソース・ドレイン領域の不純物濃度プロファイルを得るプロセスシミュレータ231と、電気的特性測定装置22からの実測の不純物濃度プロファイルとプロセスシミュレータ231で得た不純物濃度プロファイルとを重ね合わせてシミュレーション用の不純物濃度データを作成し、このデータを基にデバイスシミュレーションを実行するデバイスシミュレータ232と、実測とシミュレーションとのVg-Id特性の誤差が最小になるように変更する判定手段とからなる。

請求項（抜粋）：

半導体素子のチャネル領域の不純物濃度プロファイルを測定する不純物濃度測定装置と、前記半導体素子に与えるバックバイアスを変えて前記半導体素子のゲート電圧-ドレイン電流特性を測定する電気的特性測定装置と、プロセスのデータからソース・ドレイン領域の不純物濃度プロファイルを得るプロセスシミュレータと、前記不純物濃度測定装置からの実測の不純物濃度プロファイルとプロセスシミュレータで得た不純物濃度プロファイルとを重ね合わせてデバイスシミュレーション用の不純物濃度データを作成し、このデータを基にデバイスシミュレーションを実行するとともにバックバイアスを変えてゲート電圧-ドレイン電流特性を得るデバイスシミュレータと、前記電気的特性測定装置からのゲート電圧-ドレイン電流特性の実測値と前記デバイスシミュレータからのゲート電圧-ドレイン電流特性とを比較しながら半導体素子のゲート酸化膜境界付近の不純物濃度プロファイルを、実測値とシミュレーション値との誤差が最小になるように変更する判定手段とを備えたことを特徴とする半導体特性測定システム。