薄膜トランジスタの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-178993
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017191
出願日： 1997年06月19日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】ボトムゲート構造を有する薄膜トランジスタの活性層の結晶状態を改善する。【解決手段】薄膜トランジスタを製造する為、まず絶縁基板0上にゲート電極1を形成する。ゲート電極1の上にゲート窒化膜2及びゲート酸化膜3を形成する。ゲート酸化膜3の上に半導体薄膜4を形成する。この後、半導体薄膜4にレーザ光50を照射して結晶化を行う。ゲート電極1の直上に位置する半導体薄膜4の第一部分の結晶粒を、ゲート電極1の直上以外に位置する半導体薄膜4の第二部分の結晶粒より大きく成長させる。最後に、半導体薄膜4の第二部分に選択的に不純物を注入してソース領域及びドレイン領域を形成する一方半導体薄膜4の第一部分をチャネル領域としてそのまま残す。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上にゲート電極を形成する工程と、該ゲート電極の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、該ゲート絶縁膜の上に半導体薄膜を形成する成膜工程と、該半導体薄膜にレーザ光を照射して結晶化を行ない、該ゲート電極の直上に位置する半導体薄膜の第一部分の結晶粒を、該ゲート電極の直上以外に位置する半導体薄膜の第二部分の結晶粒より大きく成長させる結晶化工程と、該半導体薄膜の第二部分に選択的に不純物を注入してソース領域及びドレイン領域を形成する一方該半導体薄膜の第一部分をチャネル領域としてそのまま残す注入工程とを行なう薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 21/336

FI (8件)：

H01L 29/78 616 V , H01L 21/20 , H01L 21/268 F , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 617 J , H01L 29/78 618 F , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-052265
多結晶シリコン薄膜形成方法およびMOSトランジスタのチャネル形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-049801 出願人：ソニー株式会社
アクティブマトリクス基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-175705 出願人：株式会社日立製作所

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