特許
J-GLOBAL ID：200903050623160788
負帰還型FET増幅器及びそれを含む多段FET増幅器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-149428
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343928
出願日： 1992年06月09日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 負帰還型FET増幅器において、利得の周波数特性の可変範囲を広くする。【構成】 信号を増幅するためのFETを有する負帰還型FET増幅器において、FETのゲートに信号を入力する入力端子と、FETのソースに接続された共通グランド端子と、信号を出力する出力端子と、出力端子とFETのゲート間に接続された負帰還抵抗と、出力端子とFETのドレイン間に接続されたキャパシタと、FETのゲートにゲートバイアス抵抗を介してバイアス電圧を供給するためのゲートバイアス端子と、FETのドレインにドレインバイアス抵抗を介してバイアス電圧を供給するためのドレインバイアス端子を備えて構成する。【効果】 同一の回路構成で、小型で多様な利得の周波数特性の汎用性の高い多段FET増幅器が得られる。
請求項（抜粋）：
信号を増幅するためのFETを有する負帰還型FET増幅器において、FETのゲートに信号を入力する入力端子と、FETのソースに接続された共通グランド端子と、信号を出力する出力端子と、出力端子とFETのゲート間に接続された負帰還抵抗と、出力端子とFETのドレイン間に接続されたキャパシタと、FETのゲートにゲートバイアス抵抗を介してバイアス電圧を供給するためのゲートバイアス端子と、FETのドレインにドレインバイアス抵抗を介してバイアス電圧を供給するドレインバイアス端子を備えたことを特徴とする負帰還型FET増幅器。
IPC (4件)：
H03F 3/193
, H03F 1/34
, H03F 1/42
, H03F 3/34
