特許
J-GLOBAL ID：200903050630651509
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-316079
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151734
出願日： 1992年10月31日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 入力の負荷容量を大きくするなどの不利益を生ずることなく、利得を高めることができるダブルウェル構造の半導体装置を提供する。【構成】 第1の導電型の浅いウェル3が、第2の導電型の深いウェル2内に形成されているダブルウェル構造を備え、該第1の導電型の浅いウェルにソース/ドレイン領域42,43が形成されている半導体装置において、第1の導電型の浅いウェルに形成されたソース領域を浅いウェルと接続すること等により第1の導電型の浅いウェル3をゲート41の電位と同等もしくは近傍の電位にする。
請求項（抜粋）：
第1の導電型の浅いウェルが、第2の導電型の深いウェル内に形成されているダブルウェル構造を備え、該第1の導電型の浅いウェルにソース/ドレイン領域が形成されている半導体装置において、前記第1の導電型の浅いウェルをゲートの電位と同等もしくは近傍の電位にしたことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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