特許

J-GLOBAL ID：200903050637648902

半導体装置

発明者： 田島 享 ,  松原 潤子 ,  足立 悦志
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-017049
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213456
出願日： 1995年02月03日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】 多層配線構造の層間絶縁膜に用いる塗布絶縁膜が、上層膜形成時にプラズマに晒されて劣化するのを防止して信頼性の向上した層間絶縁膜を得る。【構成】 下層配線2上にポリイミド樹脂から成る塗布絶縁膜7を形成し、その上にEB真空蒸着法によるSiO2膜8を形成し、さらにその上にプラズマCVD法によるSiO2膜9を形成して三層から成る層間絶縁膜10を構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に下層配線と上層配線とこれら上下配線を絶縁する積層構造の層間絶縁膜が設けられ、上記層間絶縁膜が、有機系塗布絶縁膜とこの塗布絶縁膜上に形成された、真空蒸着法による無機系絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/90 P ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 K