特許

J-GLOBAL ID：200903050638517364

窒化物半導体発光チップ

発明者： 豊田 達憲
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (2件)： 豊栖 康弘 ,  石井 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-156350
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031945
出願日： 2003年06月02日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】発光層に均一に電流を注入することができ、発光効率を向上させることの可能な窒化物半導体発光チップを提供する。【解決手段】基板上に順次形成されたn型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層を有する窒化物半導体発光チップを、基板側を下側にし導電性材料を介してリード電極上部の支持部に接合する実装方法に用いる窒化物半導体発光チップにおいて、第1負電極をn型窒化物半導体層12の外周側壁から基板11の裏面に渡って囲むように連続して形成し、リード電極からn型窒化物半導体層12に通電可能とした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上にn型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層とを積層して形成される窒化物半導体発光チップを、基板側を下側にし導電性材料を介してリード電極上部の支持部に接合する実装方法に用いる窒化物半導体発光チップにおいて、 上記窒化物半導体発光チップが、上記n型窒化物半導体層の外周側壁のヘキ開面から上記基板の裏面に渡って囲むように連続して形成され、上記n型窒化物半導体層とオーミック接触する第1負電極を有し、上記リード電極から上記n型窒化物半導体層に通電可能な窒化物半導体発光チップ。

IPC (2件)：

H01L33/00 ,  H01L23/48

FI (3件)：

H01L33/00 C ,  H01L33/00 E ,  H01L23/48 F

Fターム (10件)：

5F041AA04 ,  5F041AA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA87 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041DA02 ,  5F041DA07