特許
J-GLOBAL ID：200903050640045801
半導体露光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 哲也 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-236909
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055116
出願日： 1991年08月26日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハなどを焼き付ける際にフォーカスを計測する手段を有する半導体焼付装置において、フォーカス計測点のパターンの状態やウエハ焼き付け工程間の差やレジストの厚さ、種類などにかかわらずより正確なフォーカシングを行なう。【構成】 フォーカスを計測する計測手段と、所定のフォーカス位置情報に応じてフォーカスを合わせる合焦手段とを有する半導体露光装置において、予め露光領域内の略中心を含む複数点のフォーカスを計測してこれら複数点のフォーカス計測値の平均値と前記略中心のフォーカス計測値であるセンター計測値との差であるフォーカスオフセットを求める手段と、露光時、前記計測手段で計測されセンター計測値を前記フォーカスオフセットで補正した値を前記フォーカス位置情報として前記合焦手段に与える補正手段とを設ける。
請求項（抜粋）：
フォーカスを計測する計測手段と、所定のフォーカス位置情報に応じてフォーカスを合わせる合焦手段とを有する半導体露光装置において、予め露光領域内の略中心を含む複数点のフォーカスを計測してこれら複数点のフォーカス計測値の平均値と前記略中心のフォーカス計測値であるセンター計測値との差であるフォーカスオフセットを求める手段と、露光時、前記計測手段で計測されセンター計測値を前記フォーカスオフセットで補正した値を前記フォーカス位置情報として前記合焦手段に与える補正手段とを具備することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
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