特許
J-GLOBAL ID：200903050640251487
超電導体およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-068520
公開番号（公開出願番号）：特開平6-072714
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年03月15日
要約：
【要約】【目的】 キャリア供給層の構造が単純であり、再現性よく製造することができる銅複合酸化物超電導体を提供する。【構成】 この超電導体は、次式:(SrαCa1-α)βCuOγ(ただし、0≦α≦1.0、0.8≦β≦1.1、1.6≦γ≦2.2)で表される酸化物の層と、次式:(Pb1-δCuδ)θ(CaλSr1-λ)Oεまたは/および次式:(Sr1-ξBaξ)κCuOη(ただし、0≦δ≦0.6、0.9≦θ≦1.1、0≦λ≦0.9、1.8≦ε≦2.3、0≦ξ≦0.2、0.9≦κ≦1.1、2.8≦η≦3.1)で表される酸化物の層のとが層状をなしており、積み上げ法を用いて製造される。また、この超電導体は、次式:(SrαCa1-α)βCuOη(ただし、0≦α≦1.0、0.8≦β≦1.1、1.6≦γ≦2.2)で表される酸化物の層と、次式:((Bi1-νPbν)1-δCuδ)θ(CaλSr1-λ)Oε(ただし、0≦ν≦0.5、0.2≦δ≦0.6、0.9≦θ≦1.1、0≦λ≦0.5、0.8≦ε≦2.3)の酸化物の層とが層状をなしており、積み上げ法を用いて製造される。
請求項（抜粋）：
次式:(SrαCa1-α)βCuOγで表される酸化物の層と、次式:(Pb1-δCuδ)θ(CaλSr1-λ)Oεで表される酸化物の層または/および次式:(Sr1-ξBaξ)κCuOηで表される酸化物の層とが層状をなしていることを特徴とする超電導体。(ただし、0≦α≦1.0、0.8≦β≦1.1、1.6≦γ≦2.2、0≦δ≦0.6、0.9≦θ≦1.1、0≦λ≦0.9、1.8≦ε≦2.3、0≦ξ≦0.2、0.9≦κ≦1.1、2.8≦η≦3.1)
IPC (4件)：
C01G 3/00 ZAA
, C01G 1/00
, C01G 21/00 ZAA
, H01B 12/06 ZAA
