特許
J-GLOBAL ID：200903050641930426
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-278232
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125654
出願日： 1996年10月21日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】 ドライエッチング時にレジスト上又は側壁上に付着するカーボン系堆積物の確実な除去を実現する。【解決手段】 SiO2 からなる絶縁膜を、フォトレジストパターンをマスクとしてプラズマ中でドライエッチングする方法において、フッ素系ガスに窒素系ガスを加えた混合ガス又はフッ素系ガス、窒素系ガス及びペニング効果を引き起こす不活性ガスからなる混合ガスの励起プラズマを用いてドライエッチングして、前記絶縁膜をエッチングするとともにドライエッチング時に生成されるカーボン系堆積物を除去する半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
SiO2 からなる絶縁膜を、フォトレジストパターンをマスクとしてプラズマ中でドライエッチングする方法において、フッ素系ガスに窒素系ガスを加えた混合ガス又はフッ素系ガス、窒素系ガス及びペニング効果を引き起こす不活性ガスからなる混合ガスの励起プラズマを用いてドライエッチングして、前記絶縁膜をエッチングするとともにドライエッチング時に生成されるカーボン系堆積物を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 F
, C23F 4/00 E
