欠陥位置検出方法及び検出装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-343567
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160573
出願日： 1999年12月02日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：

【要約】【課題】半導体装置等の配線の断線部の検出を簡便な操作で実施することのできる欠陥位置検出方法を提供すること。【解決手段】半導体装置7にX線源1からX線3を照射し、走査して、この半導体装置7の導電層(TEGパターン8)から流出する電流の値を電流計6で測定し、導電層内の欠陥位置を検出するようにした欠陥位置検出方法。この検出した値に対応して輝度変調し、X線の走査位置に対応した画素にこの輝度変調の値を表示するようにすることが好ましい。

請求項（抜粋）：

試料にX線ビームを照射し、走査して、該試料の導電層から流出する電流の値を測定し、該導電層内の欠陥位置を検出することを特徴とする欠陥位置検出方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 , G01R 1/06 , G01R 31/02 , G01R 31/302

FI (5件)：

H01L 21/66 C , H01L 21/66 S , G01R 1/06 F , G01R 31/02 , G01R 31/28 L

Fターム (23件)：

2G011AA01 , 2G011AC09 , 2G011AE01 , 2G014AA02 , 2G014AB59 , 2G014AC11 , 2G014AC14 , 2G032AD01 , 2G032AD08 , 2G032AF07 , 2G032AK03 , 4M106AA07 , 4M106AA11 , 4M106AA20 , 4M106BA20 , 4M106CA16 , 4M106CA50 , 4M106DH03 , 4M106DH16 , 4M106DH34 , 4M106DJ02 , 4M106DJ11 , 4M106DJ23

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