特許
J-GLOBAL ID：200903050651891208
平面インダクタおよび平面インダクタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-335470
公開番号（公開出願番号）：特開平9-180937
出願日： 1995年12月22日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 平面インダクタの保磁力の増大による磁気特性の悪化を抑制すると共に、平面インダクタの製造工程における歩留まりと製造された平面インダクタの信頼性の向上を達成した平面インダクタおよび平面インダクタの製造方法を提供すること。【解決手段】支持基板上に形成された第1磁性体層と、前記第1磁性体層上に形成された第1絶縁体層と、前記第1絶縁体層上に形成された導体パターンと、前記導体パターン上に形成された第2絶縁体層と、前記第2絶縁体層上に形成された第2磁性体層とを有する平面インダクタにおいて、前記支持基板の少なくとも一方の面に樹脂層を具備したことを特徴とする平面インダクタおよびその製造方法。
請求項（抜粋）：
支持基板上に形成された第1磁性体層と、前記第1磁性体層上に形成された第1絶縁体層と、前記第1絶縁体層上に形成された導体パターンと、前記導体パターン上に形成された第2絶縁体層と、前記第2絶縁体層上に形成された第2磁性体層とを有する平面インダクタにおいて、前記支持基板の少なくとも一方の面に樹脂層を具備したことを特徴とする平面インダクタ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01F 17/00 A
, H01F 41/04 D
