特許

J-GLOBAL ID：200903050652049063

真空処理装置

発明者： 今井 勇次 ,  城崎 友秀
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-280859
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121437
出願日： 1997年10月14日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】チャンバ内のパーティクルの量を低減することが可能な真空処理装置を提供する。【解決手段】チャンバ2にチャンバ2内の気体を排気する排気装置21が設けられた真空チャンバ装置であって、チャンバ2の排気部にクーロン力によってチャンバ内に存在するパーティクルを集塵する集塵手段を有し、この集塵手段は電極板6とこの電極板6に高電圧を印加する電圧印加手段としてのDC電源51からなるものとした。

請求項（抜粋）：

チャンバにチャンバ内の気体を排気する排気手段が設けられた真空処理装置であって、前記チャンバの排気部にクーロン力によってチャンバ内に存在するパーティクルを集塵する集塵手段を有する真空処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  B01J 3/00 ,  B03C 3/02 ,  C23C 14/00 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (6件)：

H01L 21/302 B ,  B01J 3/00 N ,  B03C 3/02 Z ,  C23C 14/00 B ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-077578
  
• 特開平2-077578
  
• 半導体製造装置及びその方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-319086   出願人：ソニー株式会社