特許
J-GLOBAL ID：200903050658174277
半導体結合コンデンサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-334806
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202123
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体基板上に単位当たり面積の小さい、かつ製造プロセスの工程数を増やすこと無く結合コンデンサを実現する。【構成】 半導体基板上に形成される下側電極層を櫛形状に二組を作成し櫛の歯部分11〜16の組と21〜25の組とが交互に並ぶように対向させ、上側電極層で作成した櫛形状の二組を下側電極層の配置と異なる組み合わせで下側電極層の直上に配置し、対向していない下側電極層と上側電極層の櫛の歯をそれぞれコンタクトで接続して構成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にて、第1の配線部に接続された櫛形状に複数の電極を配置した第1の上側電極及び前記第1の上側電極の各電極の間に所定の間隔だけ下側に平行に離れて配置した櫛形状の第1の下側電極と、第2の配線部に接続された前記第1の下側電極の各電極の直上に平行に配置した櫛形状の第2の上側電極及び前記第1の上側電極の各電極の直下に平行に配置した櫛形状の第2の下側電極と、前記第1の上側電極、第1の下側電極、第2の上側電極、第2の下側電極を充填する誘電体とを具備することを特徴とする半導体結合コンデンサ。
IPC (2件)：
引用特許：
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