特許
J-GLOBAL ID：200903050663758953
ダイナミツクRAM
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-287099
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102431
出願日： 1991年10月07日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 ダイナミックRAMの周辺回路部等における配線層とその下層の配線層の確実なコンタクトを図る。【構成】 周辺回路部P等における配線層21,18間の接続層20を、メモリセル部Mのビット線16の拡散層4への接続のためのプラグ層15と同一の導電層で形成する。何ら工程数の増大なしに、コンタクトホール19の垂直段差の緩和が可能となる。
請求項（抜粋）：
配線層とその下層に層間絶縁膜を介して配された他の配線層の電気的な接続のための接続層をビット線と拡散層の電気的な接続に用いるプラグ層と同じ導電層で形成したことを特徴とするダイナミックRAM。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 27/088
H01L 27/10 325 V
, H01L 27/08 102 D
