特許

J-GLOBAL ID：200903050669429030

薄膜トランジスタ及びその製法

発明者： ディディエ・ジュス ,  ジェルツィ・カニッキー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-233803
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342909
出願日： 1991年08月22日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：

【要約】【目的】微細結晶または多結晶シリコン皮膜層に隣接する、非晶質の水素化シリコン皮膜を有する構造を提供する。【構成】活性チャネル領域に電気的に結合したソース電極14とドレイン電極16を含む、薄膜トランジスタ・デバイス10を基板上に形成する。デバイスはまた、ソース電極とドレイン電極の間を流れる電流を制御するために、活性半導体チャネル領域に電気的に結合したゲート電極30も含む。活性半導体チャネル領域は、第1の層24と第2の層26を含む。第1の層は、非晶質の水素化シリコン(a-Si:H)からなり、第2の層は、多結晶シリコンからなる。第2の層は第1の層とゲート電極との間に介在する。多結晶シリコンの第2の層は、粒界の外側に非晶質相を含んでも含まなくてもよい。

請求項（抜粋）：

基板の主表面上に形成した少なくとも1つの第1の電極手段と、上記少なくとも1つの第1の電極手段を被覆する2層領域と、上記2層領域を被覆する少なくとも1つの第2の電極手段を有し、上記2層領域は、非晶質の水素化シリコンからなる第1の層と、微細結晶または多結晶シリコンからなる第2の層を含み、第1の層および第2の層が互いに隣接することを特徴とする構造体。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-087371
  
• 特開昭63-047980
  
• 特開昭62-216372
  
• 特開昭61-204976