特許

J-GLOBAL ID：200903050673536495

真空処理装置及び該装置により目的処理物を得る方法

発明者： 松田 耕自 ,  岡崎 尚登 ,  笹村 義孝
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-028197
公開番号（公開出願番号）：特開平9-051032
出願日： 1996年02月15日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：

【要約】【目的】 被処理物をその支持台に設置し、その支持台の温度を制御することで被処理物の処理温度を制御しつつ、所定真空下で、該被処理物に目的とする処理を施すタイプの真空処理装置であって、被処理物の処理温度を簡単、正確に制御できるものを提供する。【構成】 被処理物S1をその支持台2に設置し、その支持台2の温度を支持台2における冷媒通路71にチラー7から冷媒を流通させて制御することで被処理物S1の処理温度を制御しつつ、所定真空下で、被処理物S1にプラズマ化されたエッチング用ガスによるエッチング等の処理を施す真空処理装置であり、支持台2上の被処理物S1にプラズマ等による処理にともなって電荷を蓄積させ、その電荷の極性と逆極性の直流電圧を直流電源45から支持台2に印加することで静電吸着力を発生させ、その静電吸着力により被処理物S1を支持台2に密着保持させ、これにより被処理物S1を温度制御された支持台2から処理温度に制御し、目的とする処理を達成する真空処理装置。

請求項（抜粋）：

電極を兼ねる支持台に被処理物を設置し、所定真空下に、前記支持台とこれに対向する電極との間に処理用ガスを導入して前記両電極間に高周波電力を印加することで前記処理用ガスをプラズマ化し、前記プラズマに前記被処理物を曝すことで該被処理物に目的とする処理を施し、且つ、該処理において前記支持台の温度を制御することで前記被処理物の処理温度を制御する真空処理装置であって、前記プラズマに曝されることで前記被処理物に蓄積される電荷を利用して該被処理物を前記支持台に静電吸着保持できる静電吸着力を発生させるように、前記被処理物に蓄積される電荷の極性と逆極性の直流電圧を前記支持台に印加する手段を備えたことを特徴とする真空処理装置。

IPC (8件)：

H01L 21/68 ,  B01J 19/08 ,  C23C 14/50 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (8件)：

H01L 21/68 R ,  B01J 19/08 E ,  C23C 14/50 A ,  C23C 16/44 H ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 B