特許

J-GLOBAL ID：200903050679948469

プラスチックパッケージされた半導体装置ならびにヒートシンクの製造方法

発明者： 有川 正 ,  市田 晃 ,  五十嵐 廉
出願人/特許権者： 東京タングステン株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-296728
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153878
出願日： 1993年11月26日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】 プラスチックパッケージに適した熱膨張係数および熱伝導率を有するヒートシンクを備え、プラスチックパッケージされた半導体装置を提供する。【構成】 高融点のMoとMoよりも低融点かつ高熱伝導率のCuとから成り、図中、領域Z1 の範囲、即ち、熱膨張係数が9〜17×10-6/K、かつ熱伝導率が200ワット/m・K以上の範囲にあるヒートシンクを備えている。

請求項（抜粋）：

ヒートシンクを備え、プラスチックパッケージされた半導体装置において、前記ヒートシンクは、高融点の第1の金属と該第1の金属よりも低融点かつ高熱伝導率の第2の金属とから成り、熱膨張係数が9〜17×10-6/K、かつ熱伝導率が200ワット/m・K以上であることを特徴とするプラスチックパッケージされた半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/373 ,  B22F 5/00 ,  H01L 23/28

FI (2件)：

H01L 23/36 M ,  B22F 5/00 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-348062
  
• 特開平3-188654