特許

J-GLOBAL ID：200903050682613710

薄膜配線の形成方法

発明者： 宍戸 千絵 ,  越柴 洋哉 ,  坂本 治久
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-125163
公開番号（公開出願番号）：特開平7-336024
出願日： 1994年06月07日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 薄膜配線形成工程中に、高い信頼性で、かつ、能率的に欠陥の検査・修正を行い、基板の歩留りの高い薄膜配線の形成方法を提供する。【構成】 金属薄膜Aの表面を他の金属薄膜Bで被覆するd1工程と、金属薄膜A上にレジストパターンを形成するd2工程と、前記他の金属薄膜B他の金属薄膜Bだけを選択エッチングして金属薄膜Aを露出させるd3工程と、前記金属薄膜Aの露出部に前記レジストパターンをもとにめっき金属を充填するd4工程と、前記レジストを剥離するd5工程とをふくむ薄膜配線の形成方法において、前記d3工程と前記d4工程との間に、前記パターンイメージを検出し欠陥部を認識させる検査工程と、前記欠陥の修正工程とを付加することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

金属薄膜Aの表面を他の金属薄膜Bで被覆する第一工程と、前記他の金属薄膜Bで被覆された金属薄膜A上にレジストで所望のパターンを形成する第二工程と、前記レジストパターンをマスクとして、前記他の金属薄膜Bだけを選択エッチングして前記金属薄膜Aを露出させる第三工程と、前記金属薄膜Aの露出部に、前記レジストパターンを型としてめっき金属を充填する第四工程と、前記レジストを剥離する第五工程とをふくむ所望の金属パターンを形成する薄膜配線の形成方法において、前記第三工程と前記第四工程との間に、前記パターンイメージを検出し欠陥部を認識させる自動外観検査装置を用いる検査工程と、前記検査結果の欠陥位置情報に基づいて前記パターンに所要の修正を施す修正工程とを付加することを特徴とする薄膜配線の形成方法。

IPC (6件)：

H05K 3/24 ,  G01N 21/88 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/06 ,  H05K 3/46 ,  H05K 3/08

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭53-078066
  
• 特開平1-290289
  
• 特開平2-224333