特許

J-GLOBAL ID：200903050682801703

レベル変換器及びこのレベル変換器を備えた半導体装置

発明者： 高野 芳徳
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-400826
公開番号（公開出願番号）：特開2002-204153
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【課題】レベル変換動作の動作ミニマム(回路パフォーマンス)を改善できるレベル変換器を提供することを目的としている。【解決手段】3段(またはそれ以上)のレベルシフタ60,61,62を縦続接続し、1段目のレベルシフタ60で入力信号INをVH-Vss間の電圧に変換、2段目のレベルシフタ61で上記1段目のレベルシフタ60から出力されるVH-Vss間の電圧をVH-VL1間の電圧に変換した後、3段目のレベルシフタ62で2段目のレベルシフタ61から出力されるVH-VL1間の電圧をVH-VL2間の電圧に変換すること特徴としている。各電位は、VH>Vss>VL1>VL2なる関係を有し、VH=一定である。各レベルシフタ間における耐圧を一定範囲内とし、且つ各レベルシフタ間の変換電位差を小さくできるので、変換動作のパフォーマンスを上げることができる。

請求項（抜粋）：

第1レベルと第2レベルよりなる論理レベルを、第3レベルと第4レベルよりなる論理レベルへレベル変換する第1レベルシフタと、前記第1レベルシフタの出力を受け、第3レベルと第4レベルよりなる論理レベルを、第5レベルと第6レベルよりなる論理レベルへレベル変換する第2レベルシフタと、前記第2レベルシフタの出力を受け、第5レベルと第6レベルよりなる論理レベルを、第7レベルと第8レベルよりなる論理レベルへレベル変換する第3レベルシフタとを具備し、前記第2レベルと前記第4レベルは同電位であり、前記第3レベルと前記第5レベルは同電位であり、前記第5レベルと前記第7レベルは同電位であり、前記第3レベルは前記第1レベルよりも高く、前記第4レベルは前記第6レベルよりも高く、前記第6レベルは前記第8レベルよりも高いことを特徴とするレベル変換器。

IPC (2件)：

H03K 19/0175 ,  G11C 16/06

FI (5件)：

H03K 19/00 101 A ,  G11C 17/00 633 D ,  G11C 17/00 633 E ,  G11C 17/00 634 F ,  G11C 17/00 635

Fターム (19件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD02 ,  5B025AD03 ,  5B025AD04 ,  5B025AD08 ,  5B025AD09 ,  5B025AD10 ,  5B025AE08 ,  5J056AA00 ,  5J056AA11 ,  5J056BB21 ,  5J056CC21 ,  5J056DD13 ,  5J056EE03 ,  5J056EE07 ,  5J056FF08 ,  5J056HH04