特許

J-GLOBAL ID：200903050683685200

電界効果トランジスタ

発明者： 河野 康孝
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-217252
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045362
出願日： 1992年07月21日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】 ゲート耐圧Vgdo を劣化させることなく、飽和ドレイン電流Idss の増大化を図ることができる電界効果トランジスタを得る。【構成】 ゲート電極4とドレイン電極6間のGaAs基板1の活性層2の表面上に、ソース電極5と短絡し、且つ、GaAs基板1に対してショットキー接合する接地電極8を設ける。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板内に活性層を形成し、該活性層表面にゲート電極を、該活性層の両側の高濃度不純物領域の表面にソース及びトレイン電極をそれぞれ形成してなる電界効果トランジスタにおいて、上記ゲート電極とドレイン電極間の上記活性層が形成された化合物半導体基板表面に、該化合物半導体基板とショットキー接合し、且つ、上記ソース電極と短絡した接地電極を設けたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/804

FI (2件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 29/80 W