特許

J-GLOBAL ID：200903050685932302

高周波ハイブリッドアッテネータ回路

発明者： 野上田 弥
出願人/特許権者： 東芝ライテック株式会社 ,  東芝エー・ブイ・イー株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-190369
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045746
出願日： 1993年07月30日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】 アッテネータの減衰量を大きくとれるようにする。【構成】 この発明の高周波ハイブリッドアッテネータ回路は、セラミック基板の裏面側に設けられた入力端子、出力端子、電源端子の部分を除いたほぼ全面にグランドパターンを形成することにより、各端子間のアイソレーションをいっそう大きくとるようにし、これによって端子間での高周波信号の混入や発振を防止し、結果として回路の減衰量をいちだんと大きくとることができるようにする。

請求項（抜粋）：

セラミック基板上にチップ部品が実装された高周波ハイブリッドアッテネータ回路において、前記セラミック基板の裏面側に設けられた信号の入力端子と出力端子との間にグランドパターンを形成して成る高周波ハイブリッドアッテネータ回路。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/12 301

FI (2件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 23/12 E