特許
J-GLOBAL ID:200903050686604996
ヒドロキシスルホン誘導体およびその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
久保山 隆 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-379813
公開番号(公開出願番号):特開2003-176263
出願日: 2001年12月13日
公開日(公表日): 2003年06月24日
要約:
【要約】【課題】 ヒドロキシスルホン誘導体およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 一般式(1)(式中、Arは置換基を有していてもよいアリール基を示し、R1は水素原子または水酸基の保護基を示し、波線はE/Z幾何異性体のいずれか一方またはそれらの混合物であることを示す。)で示されるヒドロキシスルホン誘導体;および一般式(2)で示されるスルホン類と一般式(3)で示されるアルデヒドとを塩基の存在下に反応させる一般式(1)で示されるヒドロキシスルホン誘導体の製造方法。
請求項(抜粋):
一般式(1)(式中、Arは置換基を有していてもよいアリール基を示し、R1は水素原子または水酸基の保護基を示し、波線はE/Z幾何異性体のいずれか一方またはそれらの混合物であることを示す。)で示されるヒドロキシスルホン誘導体。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (6件):
4H006AA01
, 4H006AA02
, 4H006AB84
, 4H006AC41
, 4H006AC62
, 4H006BE90
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