特許
J-GLOBAL ID:200903050687269775

半導体素子用組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 武井 英夫 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-132225
公開番号(公開出願番号):特開2000-319530
出願日: 1999年05月13日
公開日(公表日): 2000年11月21日
要約:
【要約】【解決手段】 アルコキシシラン類と4族、5族、6族、13族、14族から選ばれる少なくとも1種類のケイ素以外の金属元素の金属化合物と脂肪族有機ポリマーからなる組成物を塗布、ゲル化させて、脂肪族有機ポリマー-無機複合体薄膜を得る。また、該薄膜から脂肪族有機ポリマーを除去して多孔質のケイ素含有金属複合酸化物薄膜を得る。【効果】 機械的強度、基板との接着性、耐クラック性、膜厚の均一性、厚膜形成能力に優れたケイ素含有金属複合酸化物と脂肪族有機ポリマーとの複合体薄膜を得ることができる。また該複合体薄膜から得られた多孔質ケイ素含有金属複合酸化物も、従来のものより機械的強度、基板との接着性、膜厚の均一性、厚膜形成能力に優れており、かつ低い誘電率のものを得られるので、LSI多層配線用絶縁膜として好適に用いることができる。
請求項(抜粋):
(a)アルコキシシラン類、(b)4族、5族、6族、13族、14族から選ばれる少なくとも1種類のケイ素以外の金属元素からなる金属化合物、(c)脂肪族有機ポリマー、を包含する半導体素子用組成物。
IPC (12件):
C08L101/16 ,  C08K 3/10 ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/5415 ,  C08L 67/04 ,  C08L 69/00 ,  C08L 71/02 ,  C08L 73/00 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01B 3/12 336 ,  H01L 21/768
FI (13件):
C08L101/00 ,  C08K 3/10 ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/5415 ,  C08L 67/04 ,  C08L 69/00 ,  C08L 71/02 ,  C08L 73/00 ,  H01L 21/31 A ,  H01L 21/316 G ,  H01B 3/12 336 ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 Q
Fターム (60件):
4J002BE021 ,  4J002BF021 ,  4J002BG011 ,  4J002BG131 ,  4J002BJ001 ,  4J002CF191 ,  4J002CG011 ,  4J002CH021 ,  4J002CJ001 ,  4J002CK011 ,  4J002CK021 ,  4J002CM011 ,  4J002CM041 ,  4J002DB007 ,  4J002DD007 ,  4J002DD077 ,  4J002DE097 ,  4J002DE247 ,  4J002DF027 ,  4J002DF037 ,  4J002DG047 ,  4J002DH047 ,  4J002EC077 ,  4J002EG047 ,  4J002EV257 ,  4J002EX036 ,  4J002EZ007 ,  4J002GQ05 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR03 ,  5F033RR21 ,  5F033RR26 ,  5F033SS22 ,  5F033XX12 ,  5F033XX23 ,  5F045AB40 ,  5F045AF08 ,  5F045BB02 ,  5F045BB17 ,  5F045CB05 ,  5F045EB20 ,  5F045HA16 ,  5F058BA04 ,  5F058BC02 ,  5F058BF46 ,  5F058BH02 ,  5F058BJ02 ,  5G303AA07 ,  5G303AB12 ,  5G303AB20 ,  5G303BA03 ,  5G303BA07 ,  5G303CA01 ,  5G303CA09 ,  5G303CA11 ,  5G303CB01 ,  5G303CB30 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39 ,  5G303CD04

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