特許

J-GLOBAL ID：200903050688285286

半導体装置及びその製造方法

発明者： 影 山 もくじ
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-243762
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135510
出願日： 1998年08月28日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】 ゲッタリングのための微小欠陥を形成しつつ、機械的な強度を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体ウェーハ10の表層部12に、欠陥発生量の低いデヌーデッドゾーンDZを形成する。また、内層部18に、不純物金属をゲッタリングするために必要な微小欠陥BMDを形成する。この内層部18では、酸素析出量が深くなるにしたがって減少するようにする。これにより、不純物金属をゲッタリングしつつ、機械的強度を確保できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に半導体デバイスが形成された半導体装置において、前記半導体基板における前記半導体デバイスが形成された側の表層部に、欠陥発生量の極低密度なデヌーデッドゾーンを備えるとともに、前記表層部直下から始まる内層部における酸素析出量は、深くなるにしたがって減少している、ことを特徴とする半導体装置。