特許

J-GLOBAL ID：200903050693918017

高誘電性膜堆積のための錯体および堆積方法

発明者： ヒュン-クック・シン
出願人/特許権者： ローム アンド ハース カンパニー
代理人 (1件)： 千田 稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-273044
公開番号（公開出願番号）：特開2000-109486
出願日： 1999年09月27日
公開日（公表日）： 2000年04月18日
要約：

【要約】【課題】 高誘電性膜堆積のための錯体および堆積方法を提供する。【解決手段】 式、【化1】〔式中、Mは第IIA族、第IIIA族、第IVA族、第IIIB族、第IVB族、第VB族または第VIIIA族から選択される金属であり;Lは有機アミンであり;nは1より大きい整数であり;さらにxおよびyは0〜4の整数であり、x+yが2〜4の整数である。〕の有機金属化合物が開示される。

請求項（抜粋）：

式、【化1】〔式中、Mは第IIA族、第IIIA族、第IVA族、第IIIB族、第IVB族、第VB族または第VIIIA族から選択される金属であり;Lは有機アミンであり;nは1より大きい整数であり;さらにxおよびyは0〜4の整数であり、x+yが2〜4の整数である。〕の有機金属化合物。

IPC (11件)：

C07F 3/04 ,  C07F 3/00 ,  C07F 5/00 ,  C07F 7/00 ,  C07F 7/24 ,  C07F 7/28 ,  C07F 15/00 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/312 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (11件)：

C07F 3/04 ,  C07F 3/00 E ,  C07F 3/00 F ,  C07F 5/00 D ,  C07F 7/00 Z ,  C07F 7/24 ,  C07F 7/28 F ,  C07F 15/00 F ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/312 A ,  H01L 27/10 651