突起電極の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-112394
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302606
出願日： 1993年04月16日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【構成】半導体装置1上に金属薄膜5を形成する工程と、半導体装置1上に形成するメッキ阻止膜であるポリイミド膜6の開口パターン形成をする工程と、ポリイミド膜6の開口パターン部のポリイミド残膜を除去する工程と、ポリイミド膜6の開口パターン部にメッキを行う工程と、ポリイミド膜6と金属薄膜5を除去する工程とを有する。【効果】マッシュルーム型の突起電極では実用上果たし得なかった突起電極の狭ピッチ化が可能になる。また、ドライフィルムレジストの弱点であったアルカリ水溶液に可溶であるという点に関しても、ポリイミドを採用することによって克服できる。本発明の突起電極を形成する方法は、ウエハー状態での一括処理が可能であるのでスタッドバンプ型の突起電極形成方法よりも効率がよい。

請求項（抜粋）：

半導体装置のパターニングした電極パッドを含む全面に保護膜を形成し、電極パッド上の保護膜に開口部を形成する工程と、半導体装置の全面にメッキ電極となる金属薄膜を形成する工程と、半導体装置の全面にポリイミド膜を形成し、開口部上のポリイミド膜に開口パターンを形成する工程と、金属薄膜をメッキ電極としてメッキ処理を行いポリイミド膜の開口パターンに突起電極を形成する工程と、ポリイミド膜を除去し、突起電極に整合した領域に金属薄膜のパターン形成をする工程とを有することを特徴とする突起電極の形成方法。

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開昭58-197857
特開平3-003334
特開平2-275618

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