特許
J-GLOBAL ID:200903050704082757
温純水洗浄によるシリコンウエーハの表面処理方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
森 正澄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-299321
公開番号(公開出願番号):特開平7-153728
出願日: 1993年11月30日
公開日(公表日): 1995年06月16日
要約:
【要約】【目的】 アルカリ洗浄後のパーティクル汚染を確実に低減し、アンモニアイオンを低減させ、経時的変化の発生を抑制できるシリコンウエーハの表面処理方法を提供すること。【構成】 アンモニアと過酸化水素水及び水との混合液によるアルカリ洗浄によりシリコンウエーハのパーティクル等を除去するシリコンウエーハの表面処理方法であって、前記アンモニアと過酸化水素水及び水との混合液にシリコンウエーハを浸漬後、80°C以上の過酸化水素水を含む温純水に前記シリコンウエーハを浸漬させるものである。
請求項(抜粋):
アンモニアと過酸化水素水及び水の混合液によるアルカリ洗浄によりシリコンウエーハのパーティクル等を除去するシリコンウエーハの表面処理方法であって、前記アンモニアと過酸化水素水及び水との混合液にシリコンウエーハを浸漬後、80°C以上の過酸化水素水を含む温純水に前記シリコンウエーハを浸漬させることを特徴とする温純水洗浄によるシリコンウエーハの表面処理方法。
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