特許

J-GLOBAL ID：200903050708168834

半導体記憶装置のエラー訂正符号化方法及び半導体記憶装置

発明者： 信方 浩美
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-010300
公開番号（公開出願番号）：特開2001-202792
出願日： 2000年01月17日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】 ECC処理を行うようにした半導体記憶装置で、読み出し時のECC演算処理時間を短縮化できるようにすると共に、ギャップレス読み出しを可能にする。【解決手段】 書き込み時に、所定数の単位のデータに対してエラー訂正符号を生成付加してメモリセルに書き込み、読み出し時に、メモリセルから所定数の単位のデータを上位側と下位側とに分割して読み出し、上位側から読み出されたデータに対するシンドローム演算と、下位側から読み出されたデータに対するシンドローム演算とを並行して行い、下位側から読み出されたデータに対するシンドローム演算の結果と、上位側から読み出されたデータに対するシンドローム演算の結果とを合成して、所定数の単位のデータに対するシンドローム演算の結果を得る。ECC方式として、ハミング符号が用いられる。上位側のECCの演算処理と、下位側のECCの演算処理とが並行して行われるため、ECC演算の時間がシリアル転送の1/2で終了でき、ギャップレス読み出しを行うことが可能である。

請求項（抜粋）：

書き込み時に、所定数の単位のデータに対してエラー訂正符号を生成付加してメモリセルに書き込み、読み出し時に、上記メモリセルから上記所定数の単位のデータを上位側と下位側とに分割して読み出し、上記上位側から読み出されたデータに対するシンドローム演算と、上記下位側から読み出されたデータに対するシンドローム演算とを並行して行い、上記下位側から読み出されたデータに対するシンドローム演算の結果と、上記上位側から読み出されたデータに対するシンドローム演算の結果とを合成して、上記所定数の単位のデータに対するシンドローム演算の結果を得るようにした半導体記憶装置のエラー訂正符号化方法。

IPC (3件)：

G11C 29/00 631 ,  G11C 17/00 ,  G11C 16/06

FI (3件)：

G11C 29/00 631 Z ,  G11C 17/00 E ,  G11C 17/00 639 C

Fターム (19件)：

5B003AA05 ,  5B003AB05 ,  5B003AC04 ,  5B003AC07 ,  5B003AD03 ,  5B003AD04 ,  5B003AD08 ,  5B003AE01 ,  5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AD13 ,  5B025AE05 ,  5B025AE08 ,  5L106AA10 ,  5L106BB12