特許

J-GLOBAL ID：200903050709486619

半導体装置の製造方法

発明者： 草野 一孝 ,  江口 益市 ,  浅野 昌也
出願人/特許権者： 東レ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-121374
公開番号（公開出願番号）：特開平6-332179
出願日： 1993年05月24日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【構成】本発明は、半導体チップ上にポリイミド樹脂からなる保護膜を備えた半導体装置の製造方法において、該保護膜をポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物を用いて形成することを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。【効果】本発明によると、ポジ型の感光性ポリイミド前駆体を用いることで、半導体チップへの水分、イオン成分の侵入防止、リーク電流の増大防止、耐電圧の低下防止に有効な効果があり、信頼性の優れた半導体装置を提供できる。

請求項（抜粋）：

半導体チップ上にポリイミド樹脂からなる保護膜を備えた半導体装置の製造方法において、該保護膜をポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物を用いて形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/027 ,  H01L 21/312 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31