特許
J-GLOBAL ID：200903050709750782
ドライエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-270489
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116818
出願日： 1996年10月14日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：
【要約】【課題】 シリコン系材料またはシリサイド材料の膜をドライエッチングする際に、フルオロメタン系のガスを添加して側壁保護膜を形成するエッチングを行うと、側壁保護膜の形成が不十分なため、アンダーカットを生じ易くなる。【解決手段】 シリコン系材料またはシリサイド材料からなる膜(例えば多結晶シリコン膜13)をドライエッチングしてパターン(例えば多結晶シリコンパターン15)を形成するドライエッチング方法において、ドライエッチングのエッチングガスには、主エッチングガスに炭化水素ガス、臭素化炭化水素ガスまたは塩素化炭化水素ガスを添加したものを用いる。
請求項（抜粋）：
シリコン系材料またはシリサイド材料からなる膜をドライエッチングしてパターンを形成するドライエッチング方法において、前記ドライエッチングのエッチングガスは、主エッチングガスに炭化水素ガスを添加したものからなることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 F
, C23F 4/00 E
