特許
J-GLOBAL ID：200903050711921780
半導体装置の金属配線形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-135048
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321203
出願日： 1994年05月25日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 コンタクト孔内壁に確実にバリアメタルを堆積して、良好な金属配線接続をとることを可能とした半導体装置の金属配線形成方法を提供する。【構成】 シリコン基板1に拡散層10等による素子を形成した後、下地配線2を形成する。次いで層間絶縁膜4を形成し、コンタクト孔形成に先立ってバリアメタル5を堆積し、これらを選択エッチングしてコンタクト孔7を形成する。そしてバリアメタル5をスパッタエッチングによりエッチングすることによってコンタクト孔7の内壁にバリアメタル8を堆積させる。最後にコンタクト孔7を介して下地配線2や拡散層10に接続される金属配線を形成する。
請求項（抜粋）：
素子が形成された半導体基板に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜にコンタクト孔形成に先立って全面にバリアメタルを堆積する工程と、前記バリアメタル及びその下の絶縁膜にコンタクト孔を形成する工程と、前記バリアメタルを等方的スパッタエッチングによりエッチングすることにより前記コンタクト孔の内壁にバリアメタルを堆積させる工程と、前記コンタクト孔を介して既に形成されている下地配線または基板に接続される金属配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の金属配線形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/3213
H01L 21/90 B
, H01L 21/88 D
