特許
J-GLOBAL ID：200903050712578273
真空浸炭方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-260192
公開番号（公開出願番号）：特開2001-081543
出願日： 1999年09月14日
公開日（公表日）： 2001年03月27日
要約：
【要約】【課題】 炭素数2以上の炭化水素系ガスを採用した場合でも、煤の発生を防止し、均一な浸炭処理を行うことができるようにすること。【解決手段】 加熱室5内に炭化水素系ガスを送入して減圧下で浸炭処理する真空浸炭方法において、浸炭開始時に所定量の炭化水素系ガスを一定時間送入し、その後の炭化水素系ガスの送入量を、予め定めたパターンに従って漸減させて浸炭するか、前記加熱室5内におけるレーザーの設定透過量に基づき連続的に制御する。
請求項（抜粋）：
加熱室内に炭化水素系ガスを送入して減圧下で浸炭処理する真空浸炭方法において、浸炭開始時に所定量の炭化水素系ガスを一定時間送入し、その後の浸炭期における炭化水素系ガスの送入量を漸減させて浸炭することを特徴とする真空浸炭方法。
Fターム (3件)：
4K028AA01
, 4K028AC03
, 4K028AC08
