特許

J-GLOBAL ID：200903050713514538

半導体装置の製造方法

発明者： 中西 史朗 ,  小田 信彦
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-069673
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234886
出願日： 1992年02月18日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 絶縁物表面の所望の位置に、所望の厚さで、所望の結晶方位を持つ単結晶Si膜を形成し得るようにする。【構成】 単結晶Si基板1の表面に絶縁膜2を形成し、この絶縁膜2の表面に溝部3を形成し、この溝部3内にのみSi単結晶核4を形成し、このSi単結晶核4及び絶縁膜2の表面を覆って所定厚さの非晶質Si膜5を堆積した後、アニール処理を施し、前記Si単結晶核4をシードとして固相成長を行わせ、単結晶Si膜6を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁物表面に溝部を形成する工程と前記溝部にSi単結晶核を形成し、これに基づいて単結晶Si膜を形成してなるS.O.I.構造を有する半導体装置の製造方法において、絶縁物及び前記Si単結晶核の表面にこれを覆う非晶質Si膜を堆積する工程と、該非晶質Si膜を前記Si単結晶核をシードとして固相成長させて単結晶Si膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12