特許

J-GLOBAL ID：200903050713901922

単結晶基板上に第3族窒化物のエピタキシャル層を成長させる方法及びその装置

発明者： ▲ごん▼ 志榮
出願人/特許権者： 廣▲が▼光電股▲ふん▼有限公司
代理人 (1件)： 山口 朔生 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-106482
公開番号（公開出願番号）：特開2001-302398
出願日： 2000年04月07日
公開日（公表日）： 2001年10月31日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 交互供給式エピタキシャル技術(EGAS)により単結晶基板上に第3族窒化物エピタキシャル層を成長させる方法を提供する。【解決手段】 複数の開口部(17,18,19)を有する回転可能なサセプタと、夫々前記開口部に対応する複数の気体供給コラム(12,14,16)とを有すると共に、前記サセプタは中空の支持軸(29)と、前記支持軸内に設けられた回転軸(290)と、複葉状の黒鉛蓋部(24)と一定の間隔をおいてその上に配置される複葉状の黒鉛台部(26)と、黒鉛蓋部と黒鉛台部との間に形成される複数のチャンバ(27)と、基板を載せるための黒鉛回転盤(28)と、からなり、前記黒鉛回転盤は前記回転軸の回転により前記チャンバ内に収容され、或いは前記複数の開口部に位置することを特徴とする、光電素子用多層構造を製造するための装置。

請求項（抜粋）：

(a)単結晶基板を洗浄して乾燥する工程と、(b)該単結晶基板をエピタキシャル成長装置に設置する工程と、(c)該単結晶基板を所定の温度に加熱する工程と、(d)該単結晶基板上に第3族元素含有有機金属ガスを供給して該第3族元素を該単結晶基板上に化学吸着させる工程と、(e)窒素含有ガスを該単結晶基板上に供給して該第3族元素と窒素とを反応させ第3族元素のエピタキシャル層を成長させる工程と、を順序に行うことを特徴とする、単結晶基板上に第3族窒化物のエピタキシャル層を成長させる方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

C30B 29/38 D ,  C30B 29/38 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (34件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077DB13 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EG21 ,  4G077HA02 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045CB01 ,  5F045CB02 ,  5F045DA52 ,  5F045DA55 ,  5F045DA63 ,  5F045DQ14 ,  5F045EE19

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化ガリウム結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-090673   出願人：松下電子工業株式会社
• p型窒化ガリウムの成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-042125   出願人：日亜化学工業株式会社
• 特開平4-187597