特許

J-GLOBAL ID：200903050721702637

磁気メモリ素子及び磁気メモリ

発明者： 道嶋 正司 ,  林 秀和 ,  南方 量二
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-081239
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267522
出願日： 2000年03月23日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】 従来の磁気メモリ素子では、自由層(メモリ層)に金属層を介して反強磁性的に結合する2つの強磁性層からなる積層膜を用いている。そのために、メモリ層の作成が難しく、端部磁化の影響低減が十分でない。また、メモリ層のスムーズな磁化反転が困難であり、磁気メモリの消費電力化が低減される構造ではない。【解決手段】 磁気メモリ素子のメモリ層となる強磁性層14の上に、少なくとも一つの導体層を介して強磁性層16を設ける。

請求項（抜粋）：

少なくとも第1磁性層、非磁性層、第2磁性層を積層した磁気メモリ素子の、前記第1又は第2磁性層の前記非磁性層積層側と異なる側に少なくとも一つの導体層を介して第3磁性層を設けたことを特徴とする磁気メモリ素子

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/06 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/15 ,  H01F 10/06 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (11件)：

5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA06 ,  5E049CB02 ,  5E049CC01 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083JA60